Micron kündigte seine mobile Speicherlösung UFS 4.0 an und gab bekannt, dass es bereits Qualifikationsmuster an „ausgewählte globale Smartphone-Hersteller und Chipsatz-Anbieter“ versendet hat.
Mit der neuen Technologie sollen Speicherkapazitäten von 256 GB, 512 GB und 1 TB hergestellt werden. Die Massenproduktion wird in der zweiten Hälfte dieses Jahres beginnen, sodass es noch eine Weile dauern wird, bis die ersten Telefone mit Micron UFS 4.0-Speicher auf den Markt kommen.
Dieser Speicher basiert auf 232-Layer-TLC-Flash (Triple-Level-Zellen, d. h. Speicherung von 3 Bits pro Zelle). Nach Angaben des Unternehmens ermöglicht seine NAND-Architektur mit sechs Ebenen einen höheren zufälligen Lesedurchsatz. Im Vergleich zur Speichergeneration der vorherigen Generation ist die Schreibbandbreite um 100 % und die Lesebandbreite um 75 % höher.
Konkreter ausgedrückt bietet der UFS 4.0-Speicher von Micron sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 4.300 Mbit/s und sequentielle Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 4.000 Mbit/s. Das ist höher als Samsungs UFS 4.0, insbesondere die Schreibbewertung.
Darüber hinaus sind die neuen UFS 4.0-Chips 25 % energieeffizienter und versprechen eine um 10 % geringere Schreiblatenz.
Sind Sie bereit für das nächste große Ding im Bereich #Mobilspeicher? Wir stellen den Micron UFS 4.0-Speicher vor, der speziell für Flaggschiff-Smartphones entwickelt wurde. Es basiert auf fortschrittlichem 232-Layer-3D-NAND und bietet erstklassige Leistung und Leistung bei Kapazitäten von bis zu 1 TB. https://t.co/PWqS252Ccc pic.twitter.com/lnAXWFlwOW
— Micron Technology (@MicronTech) 21. Juni 2023
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